MT29F32G08CBABA NAND Memoria Flash Circuito integrado

Product Description

MT29F32G08CBABA NAND Flash Memory Circuito integrado

Características
Interfaz abierta NAND Flash (ONFI) 2.1 compatible
1
Tecnología a celdas en capas (MLC)
Organización
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Tamaño de página x8: 4320 bytes (4096 + 224 bytes)
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Tamaño de bloque: 256 páginas (1024K + 56K byte)
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Tamaño del plano: 2 pisos x 2048 bloques por piso
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Tamaño del dispositivo: 32 Gb: 4096 bloques; 64 GB: 8192 bloques; 128 GB: 16.384 bloques; 256 Gb: 32,768 bloques
Rendimiento de E / S síncrono
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Hasta sincronización síncrona 4
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Frecuencia de reloj: 12ns (DDR)
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Rendimiento de E / S asíncrona
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Hasta sincronización asíncrona 4
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t
RC /
t
WC: 25ns (MIN)
Rendimiento de la matriz
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Leer página: 50 s (MAX)
– < br/> Página del programa: 900 s (TYP)
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Borrar bloque: 3 ms (TYP)
Rango de voltaje de funcionamiento
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V
DC
: 2.7-3.6 V
–
V
CCQ
: 1.7-1.95 V, 2.7-3.6 V
Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
Conjunto de comandos avanzado
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Caché del programa
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Leer el caché secuencial
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Leer el caché aleatoriamente
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Controles multiplano
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Operaciones multi-LUN
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Leer ID única
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Copia de seguridad
El primer bloque co (dirección de bloque 00h) válido cuando se envía desde la fábrica. Para obtener el ECC mínimo requerido, consulte Manejo de errores (página 108).
RESET (FFh) requerido como primer comando después del encendido
El byte de estado operativo proporciona el método de software para la detección
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Finalización de la operación
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Condición de aprobación / falla
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Estado de protección contra escritura
Las señales de estroboscopio de datos (DQS) proporcionan un método de hardware para sincronizar datos DQ en la interfaz síncrona
Operaciones de copia de respaldo admitidas dentro del plan del que se leen los datos
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Retención de datos: 10 años
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Resistencia: 5000 PROGRAMA / BORRAR ciclos
Temperatura de funcionamiento:
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Comercial: de 0 C a + 70 C
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Industrial (IT): de a +/> Paquete
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LGA 52 pad
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TSOP 48 pines
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BGA de 100 bolas